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资料编号:180335
 
资料名称:BSC052N03S
 
文件大小: 299.69K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS2 Power-Transistor
 
 


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BSC052N03S
13 avalanche 特性 14 典型值 门 承担
I
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
);
I
D
=25 一个 搏动
参数:
T
j(开始)
参数:
V
DD
15 流-源 损坏 电压 16 门 承担 波形
V
br(dss)
=f(
T
j
);
I
D
=1 毫安
6 v
15 v
24 v
0
2
4
6
8
10
12
0 10203040
Q
[nC]
V
GS
[V]
20
22
24
26
28
30
32
34
36
-60 -20 20 60 100 140 180
T
j
[°C]
V
br(dss)
[V]
V
GS
Q
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °c
100 °c
125 °c
1
10
100
1 10 100 1000
t
AV
[µs]
I
AV
[A]
rev. 1.2 页 7 2004-04-13
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