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资料编号:180337
 
资料名称:BSC094N03S
 
文件大小: 340.89K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS2 Power-Transistor
 
 


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bsc094n03s g
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
热的 特性
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 2.4 k/w
热的 阻抗,
R
thJA
minimal footprint - - 62
接合面 - 包围的
6 cm
2
冷却 范围
2)
--45
电的 特性,
T
j
=25 °c, 除非 否则 指定
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
=0 v,
I
D
=1 毫安
30 - - V
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=25 µa
1.2 1.6 2
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
=30 v,
V
GS
=0 v,
T
j
=25 °c
- 0.1 1 µA
V
DS
=30 v,
V
GS
=0 v,
T
j
=125 °c
- 10 100
门-源 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=20 v,
V
DS
=0 v
- 10 100 nA
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=4.5 v,
I
D
=30 一个
- 11.2 14
m
V
GS
=10 v,
I
D
=35 一个
- 7.8 9.4
门 阻抗
R
G
-1-
跨导
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
ds(在)最大值
,
I
D
=35 一个
26 53 - S
1)
j-std20 和 jesd22
2)
设备 在 40 mm x 40 mm x 1.5 mm 环氧的 pcb fr4 和 6 cm
2
(一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 在 安静的 空气.
2)
看 图示 3
rev. 1.01 页 2 2004-12-15
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