飞利浦 半导体
BSH111
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 26 april 2002 8 的 13
9397 750 09629
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I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
T
j
=25
°
c 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
V
GS
= 0 v; f = 1 MHz
图 11. 向前 跨导 作 一个 函数 的
流 电流; 典型 值.
图 12. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances
作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型
值.
03aa38
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60 0 60 120 180
V
gs(th)
(v)
典型值
最小值
T
j
(
°
c)
03aa89
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0
0.4 0.8
1.2
1.6 2
V
GS
(v)
(一个)
I
D
最小值
典型值
03aa76
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.2
0.4
0.6
I
D
(一个)
g
fs
(s)
150
°
C
T
j
= 25
°
C
03aa78
1
10
10
2
10
-1
110
10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
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