BSM10GD60DN2_集成电路资料查询网

半导体 组
7 jan-09-1997
bsm 10 gd 60 dn2
典型值 切换 时间
i = f (i
C
) ,
inductive 加载 , t
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 300 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 100
Ω
0 5 10 15 一个 25
I
C
1
10
2
10
3
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
典型值 切换 时间
t = f (r
G
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 300 v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 10 一个
0 50 100 150 200 250 300
Ω
400
R
G
1
10
2
10
3
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
典型值 切换 losses
e = f (i
C
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 300 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 100
Ω
0 5 10 15 一个 25
I
C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
mWs
2.0
E
Eon
Eoff
典型值 切换 losses
e = f (r
G
) ,
inductive 加载
,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 300v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 10 一个
0 50 100 150 200 250 300
Ω
400
R
G
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
mWs
2.0
E
Eon
Eoff

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半导体组 7 jan-09-1997 bsm 10 gd 60 dn2 典型值切换时间 i = f (i C ) , inductive 加载 , t j = 125°c par.: V CE = 300 v, V GE = ± 15 v, R G = 100 Ω 0 5 10 15 一个 25 I C 1 10 2 10 3 10 ns t tdon tr tdoff tf 典型值切换时间 t = f (r G ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 300 v, V GE = ± 15 v, I C = 10 一个 0 50 100 150 200 250 300 Ω 400 R G 1 10 2 10 3 10 ns t tdon tr tdoff tf 典型值切换 losses e = f (i C ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 300 v, V GE = ± 15 v, R G = 100 Ω 0 5 10 15 一个 25 I C 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 mWs 2.0 E Eon Eoff 典型值切换 losses e = f (r G ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 300v, V GE = ± 15 v, I C = 10 一个 0 50 100 150 200 250 300 Ω 400 R G 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 mWs 2.0 E Eon Eoff

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