technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
BSM50GP60
elektrische eigenschaften / 电的 properties
charakteristische werte / 典型的 值
最小值 典型值 最大值
Modulinduktivität
偏离 电感 单元
L
σ
CE
- - 100 nH
modul leitungswiderstand, anschlüsse-碎片
含铅的 阻抗, terminals-碎片
T
C
= 25°c R
CC’+EE’
- 7 -
m
Ω
二极管 wechselrichter/ 二极管 反相器
最小值 典型值 最大值
Durchlaßspannung
V
GE
= 0v, t
vj
= 25°c, i
F
=
50 一个
V
F
- 1,25 1,7 V
向前 电压
V
GE
= 0v, t
vj
= 125°c, i
F
=
50 一个 - 1,2 - V
Rückstromspitze
I
F
=I
Nenn
,- di
F
/dt =
1150a/µs
顶峰 反转 恢复 电流
V
GE
= -10v, t
vj
= 25°c, v
R
=
300 v
I
RM
-35- 一个
V
GE
= -10v, t
vj
= 125°c, v
R
=
300 v - 46 - 一个
Sperrverzögerungsladung
I
F
=I
Nenn
,- di
F
/dt =
1150a/µs
recovered 承担
V
GE
= -10v, t
vj
= 25°c, v
R
=
300 v
Q
r
- 3,4 - µAs
V
GE
= -10v, t
vj
= 125°c, v
R
=
300 v - 6,2 - µAs
abschaltenergie pro puls
I
F
=I
Nenn
,- di
F
/dt =
1150a/µs
反转 恢复 活力
V
GE
= -10v, t
vj
= 25°c, v
R
=
300 v
E
RQ
- 0,8 - mWs
V
GE
= -10v, t
vj
= 125°c, v
R
=
300 v - 1,3 - mWs
晶体管 brems-chopper/ 晶体管 brake-chopper
最小值 典型值 最大值
kollektor-发射级 sättigungsspannung
V
GE
= 15v, t
vj
= 25°c, i
C
=
25,0 一个
V
ce sat
- 2,2 2,75 V
集电级-发射级 饱和 电压
V
GE
= 15v, t
vj
= 125°c, i
C
=
25,0 一个 - 2,5 - V
门-schwellenspannung
门 门槛 电压
V
CE
= v
GE
, t
vj
= 25°c, i
C
=
0,5 毫安
V
ge(至)
4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität
输入 电容
f = 1mhz, t
vj
= 25°c
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v
C
ies
- 1,1 - nF
kollektor-发射级 reststrom
V
GE
= 0v, t
vj
= 25°c, v
CE
=
600 v
I
CES
- 0,7 500 µA
集电级-发射级 截-止 电流
V
GE
= 0v, t
vj
= 125°c, v
CE
=
600 v - 1,0 - 毫安
门-发射级 reststrom
门-发射级 泄漏 电流
V
CE
= 0v, v
GE
= 20v, t
vj
= 25°c I
GES
- - 300 nA
二极管 brems-chopper/ 二极管 brake-chopper
最小值 典型值 最大值
Durchlaßspannung
T
vj
= 25°c, i
F
=
25,0 一个
V
F
- 1,6 2,05 V
向前 电压
T
vj
= 125°c, i
F
=
25,0 一个 - 1,65 - V
ntc-widerstand/ ntc-thermistor
最小值 典型值 最大值
Nennwiderstand
评估 阻抗
T
C
= 25°c R
25
-5-
k
Ω
abweichung von r
100
背离 的 r
100
T
C
= 100°c, r
100
= 493
Ω
∆
r/r
-5 5 %
Verlustleistung
电源 消耗
T
C
= 25°c P
25
20 mW
b-wert
b-值
R
2
= r
1
exp [b(1/t
2
- 1/t
1
)] B
25/50
3375 K
3(11)
db-pim-9.xls
: 点此下载
