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资料编号:180446
资料名称:
BSM15GD120DN2
文件大小: 249.4K
说明
:
介绍
:
IGBT Power Module
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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oct-20-1997
bsm 15 gd 120 dn2
典型值 切换 时间
i = f (i
C
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
=
±
15 v,
R
G
= 82
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tr
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tf
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t = f (r
G
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
=
±
15 v,
I
C
= 15 一个
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R
G
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ns
t
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tr
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tf
典型值 切换 losses
e = f (i
C
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
=
±
15 v,
R
G
= 82
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Eon
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e = f (r
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= 600v,
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