半导体 组
5 8月-01-1996
bsm 100 gb 170 dn2
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 V 6.0
V
CE
0
20
40
60
80
100
120
140
160
一个
200
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 125 °c
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 V 6.0
V
CE
0
20
40
60
80
100
120
140
160
一个
200
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 转移 特性
I
C
= f (v
GE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
CE
= 20 v
0 2 4 6 8 10 V 14
V
GE
0
50
100
150
200
250
300
一个
400
I
C