BSM200GB120DL_集成电路资料查询网

半导体 组
7 二月-14-1997
bsm 200 gb 120 dl
典型值 切换 时间
i = f (i
C
) ,
inductive 加载 , t
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 4.7
Ω
0 100 200 300 一个 500
I
C
1
10
2
10
3
10
4
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
典型值 切换 时间
t = f (r
G
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 200 一个
0 10 20 30 40
Ω
60
R
G
1
10
2
10
3
10
4
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
典型值 切换 losses
e = f (i
C
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 4.7
Ω
0 100 200 300 一个 500
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
mWs
130
E
Eon
Eoff
典型值 切换 losses
e = f (r
G
) ,
inductive 加载
,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 200 一个
0 10 20 30 40
Ω
60
R
G
0
10
20
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mWs
130
E
Eon
Eoff

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半导体组 7 二月-14-1997 bsm 200 gb 120 dl 典型值切换时间 i = f (i C ) , inductive 加载 , t j = 125°c par.: V CE = 600 v, V GE = ± 15 v, R G = 4.7 Ω 0 100 200 300 一个 500 I C 1 10 2 10 3 10 4 10 ns t tdon tr tdoff tf 典型值切换时间 t = f (r G ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 600 v, V GE = ± 15 v, I C = 200 一个 0 10 20 30 40 Ω 60 R G 1 10 2 10 3 10 4 10 ns t tdon tr tdoff tf 典型值切换 losses e = f (i C ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 600 v, V GE = ± 15 v, R G = 4.7 Ω 0 100 200 300 一个 500 I C 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 mWs 130 E Eon Eoff 典型值切换 losses e = f (r G ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 600v, V GE = ± 15 v, I C = 200 一个 0 10 20 30 40 Ω 60 R G 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 mWs 130 E Eon Eoff

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