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资料编号:180526
 
资料名称:BSO4410
 
文件大小: 110.66K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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2001-09-06
页 7
初步的 数据
BSO4410
13 典型值 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 11.1 一个 ,
V
DD
= 25 v,
R
GS
= 25
25 50 75 100
°C
150
T
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
mJ
130
E
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= 11.1 一个 搏动
0 10 20 30 40
nC
55
Q
0
2
4
6
8
10
12
V
16
BSO4410
V
GS
0.2
V
ds 最大值
0.5
V
ds 最大值
0.8
V
ds 最大值
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
参数:
I
D
=10 毫安
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
27
28
29
30
31
32
33
34
V
36
BSO4410
V
(br)dss
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