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1997 三月 13 7
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP030
图.6 电容 作 一个 函数 的 流-源
电压; 典型 值.
V
GS
= 0; f = 1 mhz; t
j
=25
°
c.
(1) C
iss
.
(2) C
oss
.
(3) C
rss
.
handbook, halfpage
08
(1)
(2)
(3)
16
V
DS
(v)
24
2000
C
(pf)
1500
500
0
1000
MGD719
图.7  输出 特性; 典型 值.
T
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
handbook, halfpage
04
I
D
(一个)
8
V
DS
(v)
12
50
0
40
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
30
20
10
MGD720
V
GS
=
10 v
6 v
5 v
图.8  转移 特性; 典型 值.
V
DS
= 10 v; t
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
handbook, halfpage
0
60
40
20
0
2
I
D
(一个)
486
V
GS
(v)
MGD721
图.9 门-源 电压 和 流-源
电压 作 一个 函数 的 总的 门 承担;
典型 值.
V
DD
= 12.5 v; i
D
= 5 一个; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
12
8
4
0
10
V
GS
(v)
V
GS
18
12
6
0
V
DS
(v)
20
Q
G
(nc)
30
MGD722
V
DS

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1997 三月 13 7 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP030 图.6 电容作一个函数的流-源电压; 典型值. V GS = 0; f = 1 mhz; t j =25 ° c. (1) C iss . (2) C oss . (3) C rss . handbook, halfpage 08 (1) (2) (3) 16 V DS (v) 24 2000 C (pf) 1500 500 0 1000 MGD719 图.7 输出特性; 典型值. T amb =25 ° c; t p =80 µ s; δ =0. handbook, halfpage 04 I D (一个) 8 V DS (v) 12 50 0 40 4.5 v 4 v 3.5 v 3 v 30 20 10 MGD720 V GS = 10 v 6 v 5 v 图.8 转移特性; 典型值. V DS = 10 v; t amb =25 ° c; t p =80 µ s; δ =0. handbook, halfpage 0 60 40 20 0 2 I D (一个) 486 V GS (v) MGD721 图.9 门-源电压和流-源电压作一个函数的总的门承担; 典型值. V DD = 12.5 v; i D = 5 一个; t amb =25 ° c. handbook, halfpage 0 12 8 4 0 10 V GS (v) V GS 18 12 6 0 V DS (v) 20 Q G (nc) 30 MGD722 V DS

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