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2004-01-27
页 7
bsp 742 t
条款
inductive 和 超（电）压 输出 clamp
PROFET
V
在
输出
地
bb
V
在
I
在
V
bb
I
bb
I
L
V
输出
I
地
V
在
R
地
+ v
bb
输出
地
V
Z
V
在
V
在
clamped 至 47v 典型值
超（电）压 保护 的 逻辑 部分
输入 电路 (静电释放 保护)
+V
bb
在
地
地
R
信号 地
逻辑
V
Z2
I
R
V
Z1
在
地
I
R
ZD
I
I
I
静电释放-
这 使用 的 静电释放 齐纳 二极管 作 电压 clamp
在 直流 情况 是 不 推荐
V
Z1
=6.1v 典型值., v
Z2
=V
bb(az)
=47v 典型值.,
R
I
=3.5 k
Ω
典型值., r
地
=150
Ω
反转 电池 保护
地
逻辑
在
输出
L
R
电源 地
地
R
信号 地
电源
Inverse
I
R
V
bb
-
二极管
R
地
=150
Ω
, r
I
=3.5k
Ω
典型值,
温度 保护 是 不 起作用的 在
inverse 电流

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2004-01-27 页 7 bsp 742 t 条款 inductive 和超（电）压输出 clamp PROFET V 在输出地 bb V 在 I 在 V bb I bb I L V 输出 I 地 V 在 R 地 + v bb 输出地 V Z V 在 V 在 clamped 至 47v 典型值超（电）压保护的逻辑部分输入电路 (静电释放保护) +V bb 在地地 R 信号地逻辑 V Z2 I R V Z1 在地 I R ZD I I I 静电释放- 这使用的静电释放齐纳二极管作电压 clamp 在直流情况是不推荐 V Z1 =6.1v 典型值., v Z2 =V bb(az) =47v 典型值., R I =3.5 k Ω 典型值., r 地 =150 Ω 反转电池保护地逻辑在输出 L R 电源地地 R 信号地电源 Inverse I R V bb - 二极管 R 地 =150 Ω , r I =3.5k Ω 典型值, 温度保护是不起作用的在 inverse 电流

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