半导体 组
6 sep-12-1996
bsp 315
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 -1.0 -2.0 -3.0 -4.0 V -6.0
V
DS
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2.0
-2.2
一个
-2.6
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 -2.0
b
b -2.5
c
c -3.0
d
d -3.5
e
e -4.0
f
f -4.5
g
g -5.0
h
h -6.0
i
i -7.0
j
j -8.0
k
k -9.0
l
P
tot
= 2w
l -10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 一个 -2.4
I
D
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
Ω
2.6
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
-2.0
V
GS
[v] =
一个
一个
-2.5
b
b
-3.0
c
c
-3.5
d
d
-4.0
e
e
-4.5
f
f
-5.0
g
g
-6.0
h
h
-7.0
i
i
-8.0
j
j
-9.0
k
k
-10.0
典型值 转移 特性
I
D
= f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 V -10
V
GS
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
一个
-6.0
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
0.0 -1.0 -2.0 -3.0 -4.0 一个 -5.5
I
D
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
S
1.1
g
fs
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