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半导体 组
5 sep-12-1996
bsp 316
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
一个
)
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
一个
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
W
2.0
P
tot
流 电流
I
D
=
ƒ
(
T
一个
)
参数:
V
GS
≥
-10 v
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
一个
0.00
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
-0.30
-0.35
-0.40
-0.45
-0.50
-0.55
-0.60
一个
-0.70
I
D
safe 运行 范围
I
D
=f(
V
DS
)
参数 :
D
= 0,
T
C
=25°C
瞬时 热的 阻抗
Z
th ja
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
k/w
Z
thJC
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50

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半导体组 5 sep-12-1996 bsp 316 电源消耗 P tot = ƒ ( T 一个 ) 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T 一个 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 W 2.0 P tot 流电流 I D = ƒ ( T 一个 ) 参数: V GS ≥ -10 v 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T 一个 0.00 -0.05 -0.10 -0.15 -0.20 -0.25 -0.30 -0.35 -0.40 -0.45 -0.50 -0.55 -0.60 一个 -0.70 I D safe 运行范围 I D =f( V DS ) 参数 : D = 0, T C =25°C 瞬时热的阻抗 Z th ja = ƒ ( t p ) 参数: d = t p / T -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 k/w Z thJC 10 -8 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s t p 单独的脉冲波 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 d = 0.50

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