HITFET
BSP 75N
数据 薄板 v1.0 6 2003-01-10
回转 比率 在 70 至 50%
V
BB
:-d
V
DS
/
d
t
在
–
510v/
µ
s
R
L
= 22
Ω
,
V
在
= 0 至 10 v,
V
BB
= 12 v
回转 比率 止 50 至 70%
V
BB
:d
V
DS
/
d
t
止
–
10 15 v/
µ
s
R
L
= 22
Ω
,
V
在
= 10 至 0 v,
V
BB
= 12 v
保护 功能
2)
热的 超载 trip
温度
T
jt
150 165 180
°
C
–
热的 hysteresis
∆
T
jt
–
10
–
Κ
–
unclamped 单独的 脉冲波 inductive
活力
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
E
作
550
200
–
–
–
–
mJ
I
d(iso)
= 0.7 一个,
V
BB
= 32 v
inverse 二极管
持续的 源 流 电压
V
SD
–
1
–
V
V
在
= 0 v,
-
I
D
= 2
×
0.7 一个
1)
看 也
图示 9
.
2)
整体的 保护 功能 是 设计 至 阻止 ic destruction 下面 故障 情况 描述 在 这
数据手册. 故障 情况 是 考虑 作
“
外部
”
正常的 运行 范围. 保护 功能 是 不
设计 为 持续的, repetitive 运作.
电的 特性
(内容
’
d)
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
参数 sym-
bol
限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
: 点此下载
