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资料编号:180676
 
资料名称:BSP319
 
文件大小: 278.21K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bsp 319
数据 薄板 6 05.99
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs ,
T
j
= 25 ˚c
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0
V
DS
0
1
2
3
4
5
6
7
一个
9
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 2.0
b
b 2.5
c
c 3.0
d
d 3.5
e
e 4.0
f
f 4.5
g
g 5.0
h
h 6.0
i
i 7.0
j
j 8.0
k
k 9.0
l
P
tot
= 2w
l 10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 ˚c
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 一个 5.0
I
D
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.22
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
2.0
V
GS
[v] =
一个
一个
2.5
b
b
3.0
c
c
3.5
d
d
4.0
e
e
4.5
f
f
5.0
g
g
6.0
h
h
7.0
i
i
8.0
j
j
9.0
k
k
10.0
典型值 转移 特性
I
D
= f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一个
20
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
0 2 4 6 8 10 12 14 一个 18
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
S
14
g
fs
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