BSP205_集成电路资料查询网

april 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP205
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed
流-源 损坏 电压
−
I
D
=10
µ
一个; v
GS
=0
−
V
(br)dss
最小值 60 V
流-源 泄漏 电流
−
V
DS
= 48 v; v
GS
=0
−
I
DSS
最大值 1.0
µ
一个
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; v
DS
=0
±
I
GSS
最大值 100 nA
门 门槛 电压
最小值
最大值
1.5
3.5
V
V
−
I
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
−
V
gs(th)
流-源 在-阻抗
典型值
最大值
7.5
10
Ω
Ω
−
I
D
= 200 毫安 ;
−
V
GS
= 10 v R
ds(在)
转移 admittance
最小值
典型值
60
125
mS
mS
−
I
D
= 200 毫安;
−
V
DS
= 15 v

Y
fs

输入 电容 在 f = 1 mhz;
典型值
最大值
30
45
pF
pF
−
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 C
iss
输出 电容 在 f = 1 mhz;
典型值
最大值
20
30
pF
pF
−
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 C
oss
反馈 电容 在 f = 1 mhz;
典型值
最大值
5
10
pF
pF
−
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 C
rss
切换 时间 (看 figs 2 和 3)
−
I
D
= 200 毫安;
−
V
DD
= 50 v;
−
V
GS
= 0 至 10 v t
在
典型值
最大值
3
6
ns
ns
t
止
典型值
最大值
10
15
ns
ns

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april 1995 4 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP205 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed 流-源损坏电压 − I D =10 µ 一个; v GS =0 − V (br)dss 最小值 60 V 流-源泄漏电流 − V DS = 48 v; v GS =0 − I DSS 最大值 1.0 µ 一个门-源泄漏电流 ± V GS = 20 v; v DS =0 ± I GSS 最大值 100 nA 门门槛电压最小值最大值 1.5 3.5 V V − I D = 1 毫安; v DS = v GS − V gs(th) 流-源在-阻抗典型值最大值 7.5 10 Ω Ω − I D = 200 毫安 ; − V GS = 10 v R ds(在) 转移 admittance 最小值典型值 60 125 mS mS − I D = 200 毫安; − V DS = 15 v  Y fs  输入电容在 f = 1 mhz; 典型值最大值 30 45 pF pF − V DS = 10 v; v GS =0 C iss 输出电容在 f = 1 mhz; 典型值最大值 20 30 pF pF − V DS = 10 v; v GS =0 C oss 反馈电容在 f = 1 mhz; 典型值最大值 5 10 pF pF − V DS = 10 v; v GS =0 C rss 切换时间 (看 figs 2 和 3) − I D = 200 毫安; − V DD = 50 v; − V GS = 0 至 10 v t 在典型值最大值 3 6 ns ns t 止典型值最大值 10 15 ns ns

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