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资料编号:180688
 
资料名称:BSP206
 
文件大小: 65.25K
   
说明
 
介绍:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
april 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP206
描述
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管 在 一个
小型的 sot223 封套 和
将 为 使用 在 接转, 高-速
和 线条-变压器 驱动器.
特性
非常 低 r
ds(在)
直接 接口 至 c-mos, ttl,
高-速 切换
非 secondary 损坏
快 涉及 数据
固定 - sot223
标记 代号
BSP206
流-源 电压
V
DS
最大值 60 V
流 电流 (直流)
I
D
最大值 350 毫安
流-源 在-阻抗
I
D
= 200 毫安;
V
GS
=10V
R
ds(在)
最大值 6
门 门槛 电压
V
gs(th)
最大值 3.5 V
1 =
2 =
3 =
4 =
管脚 配置
图.1 simplfied 外形 和 标识.
handbook, halfpage
MAM121
4
123
顶 视图
s
d
g
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