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手机版
资料编号:180689
资料名称:
BSP220
文件大小: 76.53K
说明
:
介绍
:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
: 点此下载
1
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
April
1995
2
飞利浦 半导体
产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP220
特性
•
低 r
ds(在)
•
直接 接口 至 c-mos, ttl,
等
•
高-速 切换
•
非 secondary 损坏.
描述
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管 在 一个
小型的 sot223 封套 和
将 为 使用 在 接转, 高-速
和 线条 变压器 驱动器.
固定 - sot223
管脚
描述
1
门
2
流
3
源
4
流
快 涉及 数据
管脚 配置
标识
参数
情况
最大值
单位
−
V
DS
流-源 电压
200
V
−
I
D
流 电流
直流 值
225
毫安
R
ds(在)
流-源 在-阻抗
−
I
D
= 200 毫安
−
V
GS
= 10 v
12
Ω
−
V
gs(th)
门-源 门槛
电压
2.8
V
图.1 simplified 外形 和 标识.
handbook, halfpage
MAM121
4
123
顶 视图
s
d
g
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