1995 apr 07 3
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
bsp304; bsp304a
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
热的 特性
便条 至 这
“limiting values”
和
“thermal characteristics”
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 最大 含铅的 长度 4 mm; 挂载 垫子 为 流 含铅的 最小 1 cm
2
.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流)
−−
300 V
V
GSO
门-源 电压 (直流) 打开 流
−±
20 V
I
D
流 电流 (直流)
−−
170 毫安
I
DM
顶峰 流 电流
−−
0.75 一个
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=25
°
c; 便条 1
−
1W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 125 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0; i
D
=
−
10
µ
一个
−
300
−−
V
V
GSth
门-源 门槛 电压 V
DS
=V
GS
; i
D
=
−
1mA
−
1.7
−−
2.55 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
GS
= 0; v
DS
=
−
240 V
−−−
100 nA
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
=0
−−±
100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
=
−
10 v; i
D
=
−
170 毫安
−−
17
Ω
y
fs
向前 转移 admittance V
DS
=
−
25 v; i
D
=
−
170 毫安 100
−−
mS
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
25 v; f = 1 MHz
−
60 90 pF
C
oss
输出 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
25 v; f = 1 MHz
−
15 30 pF
C
rss
反转 转移 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
20 v; f = 1 MHz
−
515pF
切换 时间 (看 Figs
2
和
3
)
t
在
转变-在 时间 V
GS
=0to
−
10 v; v
DD
=
−
50 v;
I
D
=
−
250 毫安
−
510ns
t
止
转变-止 时间 V
GS
=
−
10 至 0 v; v
DD
=
−
50 v;
I
D
=
−
250 毫安
−
15 30 ns
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