BSP130_集成电路资料查询网

april 1995 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP130
图.6  典型 输出 特性.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
1.2
0.8
V
DS
(v)
I
D
(一个)
0.4
0
4812
MRC217
p = 1.5 w
4 v
3.5 v
3 v
2 v
5 v
2.5 v
V
GS
= 10 v
图.7  典型 转移 特性.
V
DS
= 10 v; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
04 12
1.2
0
0.4
0.8
I
D
(一个)
V
GS
(v)
8
MRC223
图.8 流-源 在-阻抗 作 一个 函数 的
流 电流, 典型 值.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
30
0
20
10
MRC219
R
DSon
(
Ω
)
I
D
(一个)
11010
−
1
10
−
2
4 v
5 v
10 v
3 v
3.5 v
2.5 v
V
GS
= 2 v
图.9 流-源 在-阻抗 作 一个 函数 的
门-源 电压, 典型 值.
V
DS
= 100 mv; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
010
25
0
5
10
15
20
246
R
DSon
(
Ω
)
8
MRC220
V
GS
(v)

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april 1995 5 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP130 图.6 典型输出特性. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0 1.2 0.8 V DS (v) I D (一个) 0.4 0 4812 MRC217 p = 1.5 w 4 v 3.5 v 3 v 2 v 5 v 2.5 v V GS = 10 v 图.7 典型转移特性. V DS = 10 v; t j =25 ° c. handbook, halfpage 04 12 1.2 0 0.4 0.8 I D (一个) V GS (v) 8 MRC223 图.8 流-源在-阻抗作一个函数的流电流, 典型值. T j =25 ° c. handbook, halfpage 30 0 20 10 MRC219 R DSon ( Ω ) I D (一个) 11010 − 1 10 − 2 4 v 5 v 10 v 3 v 3.5 v 2.5 v V GS = 2 v 图.9 流-源在-阻抗作一个函数的门-源电压, 典型值. V DS = 100 mv; t j =25 ° c. handbook, halfpage 010 25 0 5 10 15 20 246 R DSon ( Ω ) 8 MRC220 V GS (v)

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