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资料编号:180710
 
资料名称:BSP89
 
文件大小: 59.74K
   
说明
 
介绍:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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半导体 组
8 sep-12-1996
bsp 89
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 °C 160
T
j
215
220
225
230
235
240
245
250
255
260
265
270
275
V
285
V
(br)dss
safe 运行 范围
I
D
=f(
V
DS
)
参数 :
D
= 0.01,
T
C
=25°C
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