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资料编号：180723
 
资料名称：BSP50BSP52
 
文件大小： 152.87K
   
说明：
 
介绍:
NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage)
 
 


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bsp50 ... bsp52
5 十一月-30-2001
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
I
B
- 参数
EHP00663bsp 50...52
10
1
5
Ι
2
10
5
C
10
3
毫安
V
ce sat
V
0
12
B
Ι
= 0.5 毫安
4 毫安
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
I
B
- 参数
ehp00664bsp 50...52
10
1
5
Ι
10
2
C
5
10
毫安
3
1
0
是 sat
V
2
V
3
= 0.5 毫安
B
Ι
4 毫安
转变 频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5v,
f
= 100mhz
ehp00662bsp 50...52
10
10
毫安
f
C
10
MHz
10
T
5
Ι
12 3
10
3
2
10
1
5
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