1
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
2
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
11
01.11.2003
切换 transistors bsr 17a
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
根基 饱和 电压– 基准-sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 毫安, i
B
= 1 毫安 V
BEsat
650 mv – 850 mv
I
C
= 50 毫安, i
B
= 5 毫安 V
BEsat
– – 950 mv
直流 电流 增益 – kollekt或者-基准-stromverhältnis
1
)
V
CE
= 1 v, i
C
= 0.1 毫安 h
FE
60 – –
V
CE
= 1 v, i
C
= 1 毫安 h
FE
80 – –
V
CE
= 1 v, i
C
= 10 毫安 h
FE
100 – 300
V
CE
= 1 v, i
C
= 50 毫安 h
FE
60 – –
V
CE
= 1 v, i
C
= 100 毫安 h
FE
30 – –
增益-带宽 product – transitfrequenz
V
CE
= 20 v, i
C
= 10 毫安, f = 100 mhz f
T
300 mhz – –
集电级-根基 电容– kollektor-基准-kapazität
V
CB
= 5 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
– 4 pf –
发射级-根基 电容 – 发射级-基准-kapazität
V
EB
= 0.5 v, i
C
= i
c
= 0, f = 1 mhz C
EB0
– 8 pf –
噪音 图示 – rauschzahl
V
CE
= 5 v, i
C
= 100
一个, r
S
= 1 k
,
f = 10 hz...15.7 khz
F – – 5 db
切换 时间 – schaltzeiten
转变-在 时间
I
Con
= 10 毫安
I
Bon
= 1 毫安
- i
Boff
= 1 毫安
t
在
– – 65 ns
延迟 时间 t
d
– – 35 ns
上升 时间 t
r
– – 35 ns
转变-止 时间 t
止
– – 240 ns
存储 时间 t
s
– – 200 ns
下降 时间 t
f
– – 50 ns
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
R
thA
420 k/w
2
)
推荐 complementary pnp 晶体管
empfohlene komplementäre pnp-transistoren
bsr 18a
标记 - stempelung bsr 17a = u92
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