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半导体 组
2 12/05/1997
bss 88
最大 比率
参数
标识 值 单位
碎片 或者 运行 温度
T
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150
热的 阻抗, 碎片 至 包围的 空气
1)
R
thJA
≤
125
k/w
din 湿度 类别, din 40 040 E
iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 150 / 56
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安,
T
j
= 25 °c
V
(br)dss
240 - -
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= 1 毫安
V
gs(th)
0.6 0.8 1.2
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 240 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 240 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 125 °c
V
DS
= 100 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
DSS
-
-
-
-
10
0.1
100
100
1 µA
nA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
- 10 100
nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 0.25 一个
V
GS
= 1.8 v,
I
D
= 14 毫安
R
ds(在)
-
-
7
5
15
8
Ω

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半导体组 2 12/05/1997 bss 88 最大比率参数标识值单位碎片或者运行温度 T j -55 ... + 150 °C 存储温度 T stg -55 ... + 150 热的阻抗, 碎片至包围的空气 1) R thJA ≤ 125 k/w din 湿度类别, din 40 040 E iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 150 / 56 电的特性, 在 T j = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值静态的特性流- 源损坏电压 V GS = 0 v, I D = 0.25 毫安, T j = 25 °c V (br)dss 240 - - V 门门槛电压 V GS = V ds, I D = 1 毫安 V gs(th) 0.6 0.8 1.2 零门电压流电流 V DS = 240 v, V GS = 0 v, T j = 25 °c V DS = 240 v, V GS = 0 v, T j = 125 °c V DS = 100 v, V GS = 0 v, T j = 25 °c I DSS - - - - 10 0.1 100 100 1 µA nA 门-源泄漏电流 V GS = 20 v, V DS = 0 v I GSS - 10 100 nA 流-源在-状态阻抗 V GS = 4.5 v, I D = 0.25 一个 V GS = 1.8 v, I D = 14 毫安 R ds(在) - - 7 5 15 8 Ω

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