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资料编号：180822
 
资料名称：BSS229
 
文件大小： 303.4K
   
说明：
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
 
 


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半导体 组 4
特性
在
T
j
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
总的 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
一个
)
典型值 输出 特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80
µ
s
safe 运行 范围
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
= 25 ˚C
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
bss 229
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