半导体 组
2 18/02/1997
bss 192
最大 比率
参数 标识 值 单位
碎片 或者 运行 温度
T
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150
热的 阻抗, 碎片 至 包围的 空气
1)
R
thJA
≤
125 k/w
din 湿度 类别, din 40 040 E
iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 150 / 56
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= -0.25 毫安,
T
j
= 25 °c
V
(br)dss
-240 - -
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= -1 毫安
V
gs(th)
-0.8 -1.5 -2
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -240 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= -240 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 125 °c
V
DS
= -60 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
DSS
-
-
-
-
-10
-0.1
-0.2
-100
-1
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= -20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
- -10 -100
nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= -10 v,
I
D
= -0.15 一个
R
ds(在)
- 10 20
Ω