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资料编号:180867
 
资料名称:BSS223PW
 
文件大小: 74.12K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-07-04
页 6
初步的 数据
bss 223pw
9 流-源 在-阻抗
R
ds(在)
= f(
T
j
)
参数:
I
D
= -0.39 一个,
V
GS
= -4.5 v
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.6
R
ds(在)
典型值
98%
10 典型值 门 门槛 电压
V
gs(th)
=
f
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
1.6
-
V
gs(th)
2%
典型值
98%
11 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0,
f
=1 mhz;
T
j
= 25 °c
0 2 4 6 8 10 12
V
15
-
V
DS
1
10
2
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 向前 character. 的 反转 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2 -2.4
V
-3
V
SD
-2
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
一个
bss 223pw
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
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