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1997 Sep 03 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn darlington 晶体管 bss50; bss51; bss52
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
热的 特性
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
BSS50
−
60 V
BSS51
−
80 V
BSS52
−
90 V
V
CES
集电级-发射级 电压 V
是
=0
BSS50
−
45 V
BSS51
−
60 V
BSS52
−
80 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
5V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
1A
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
2A
I
B
根基 电流 (直流)
−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C
−
0.8 W
T
情况
≤
25
°
C
−
5W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
200
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 在 自由 空气 220 k/w
R
th j-c
热的 阻抗 从 接合面 至 情况 35 k/w

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1997 Sep 03 3 飞利浦半导体产品规格 npn darlington 晶体管 bss50; bss51; bss52 限制的值在一致和这绝对最大比率系统 (iec 134). 热的特性标识参数情况最小值最大值单位 V CBO 集电级-根基电压打开发射级 BSS50 − 60 V BSS51 − 80 V BSS52 − 90 V V CES 集电级-发射级电压 V 是 =0 BSS50 − 45 V BSS51 − 60 V BSS52 − 80 V V EBO 发射级-根基电压打开集电级 − 5V I C 集电级电流 (直流) − 1A I CM 顶峰集电级电流 − 2A I B 根基电流 (直流) − 100 毫安 P tot 总的电源消耗 T amb ≤ 25 ° C − 0.8 W T 情况 ≤ 25 ° C − 5W T stg 存储温度 − 65 +150 ° C T j 接合面温度 − 200 ° C T amb 运行包围的温度 − 65 +150 ° C 标识参数情况值单位 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的在自由空气 220 k/w R th j-c 热的阻抗从接合面至情况 35 k/w

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