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资料编号:180921
 
资料名称:BSS84P
 
文件大小: 88.62K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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2002-09-04
页 5
最终 数据
bss 84 p
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
T
j
= 25 °c
0 -0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4
V
-5
V
DS
0
-0.04
-0.08
-0.12
-0.16
-0.2
-0.24
-0.28
-0.32
一个
-0.4
bss 84 p
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 -2.5
b
b -3.0
c
c -3.5
d
d -4.0
e
e -4.5
f
f -5.0
g
g -5.5
h
h -6.0
i
i -6.5
j
j -7.0
k
k -8.0
l
P
tot
= 0.36w
l -10.0
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
;
T
j
= 25 °c
0 -0.04 -0.08 -0.12 -0.16 -0.2 -0.24 -0.28 -0.32
一个
-0.38
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
W
26
bss 84 p
R
ds(在)
V
GS
[v] =
一个
一个
-2.5
b
b
-3.0
c
c
-3.5
d
d
-4.0
e
e
-4.5
f
f
-5.0
g
g
-5.5
h
h
-6.0
i
i
-6.5
j
j
-7.0
k
k
-8.0
l
l
-10.0
7 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
); |
V
DS
|
³
2 x |
I
D
|
x
R
ds(在)最大值
参数:
T
j
= 25 °c
0 1 2 3 4
V
6
-
V
GS
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
一个
0.4
-
I
D
8 典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
)
参数:
T
j
= 25 °c
0 0.04 0.08 0.12 0.16
一个
0.22
-
I
D
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
S
0.16
g
fs
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