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资料编号:180935
 
资料名称:BSS123
 
文件大小: 133.21K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-12-10
页 6
rev. 1.0
BSS123
9 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 0.17 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
24
BSS123
R
ds(在)
典型值
98%
10 典型值 门 门槛 电压
V
gs(th)
=
f
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
;
I
D
=50µA
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
V
2.2
V
gs(th)
2%
典型值
98%
11 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0,
f
=1 mhz,
T
j
= 25 °c
0 4 8 12 16 20 24 28
V
36
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
rss
C
iss
C
oss
12 向前 character. 的 反转 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4
V
3
V
SD
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
一个
BSS123
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
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