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april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BST122
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
热的 阻抗
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 陶瓷的 基质: 范围 = 2,5 cm
2
; 厚度 = 0,7 mm.
流-源 电压
−
V
DS
最大值 60 V
门-源 电压 (打开 流)
±
V
GSO
最大值 20 V
流 电流 (直流)
−
I
D
最大值 0.25 一个
流 电流 (顶峰)
−
I
DM
最大值 0.5 一个
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
= 25
°
CP
tot
最大值 1 W
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至 + 150
°
C
接合面 温度 T
j
最大值 150
°
C
从 接合面 至 包围的 (便条 1) R
th j-一个
= 125 k/w

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april 1995 3 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BST122 比率限制的值在一致和这绝对最大系统 (iec 134) 热的阻抗便条 1. 晶体管挂载在一个陶瓷的基质: 范围 = 2,5 cm 2 ; 厚度 = 0,7 mm. 流-源电压 − V DS 最大值 60 V 门-源电压 (打开流) ± V GSO 最大值 20 V 流电流 (直流) − I D 最大值 0.25 一个流电流 (顶峰) − I DM 最大值 0.5 一个总的电源消耗向上至 t amb = 25 ° CP tot 最大值 1 W 存储温度范围 T stg − 65 至 + 150 ° C 接合面温度 T j 最大值 150 ° C 从接合面至包围的 (便条 1) R th j-一个 = 125 k/w

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