首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:180978
 
资料名称:BST60
 
文件大小: 46.25K
   
说明
 
介绍:
PNP Darlington transistors
 
 


: 点此下载
  浏览型号BST60的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号BST60的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号BST60的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号BST60的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BST60的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BST60的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号BST60的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 27 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp darlington 晶体管 bst60; bst61; bst62
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的 sided 铜, tinplated, 挂载 垫子 为 集电级 6 cm
2
.
其它 挂载 情况, 看
“thermal 仔细考虑 为 sot89 在 这 一般 部分 的 有关联的 handbook”.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
BST60
−−
60 V
BST61
−−
80 V
BST62
−−
90 V
V
CES
集电级-发射级 电压 V
=0
BST60
−−
45 V
BST61
−−
60 V
BST62
−−
80 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−−
5V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
0.5 一个
I
CM
顶峰 集电级 电流
−−
1.5 一个
I
B
根基 电流 (直流)
−−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
c; 便条 1
1.3 W
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +150
°
C
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com