1999 Apr 27 4
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp darlington 晶体管 bst60; bst61; bst62
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的 sided 铜, tinplated, 挂载 垫子 为 集电级 6 cm
2
.
为 其它 挂载 情况, 看
“thermal 仔细考虑 为 sot89 在 这 一般 部分 的 有关联的 handbook”.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 96 k/w
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 16 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流
BST60 V
是
= 0; v
CE
=
−
45 V
−−−
50 nA
BST61 V
是
= 0; v
CE
=
−
60 V
−−−
50 nA
BST62 V
是
= 0; v
CE
=
−
80 V
−−−
50 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
4V
−−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=
−
10 v; 便条 1; 看 图.2
I
C
=
−
150 毫安 1000
−−
I
C
=
−
500 毫安 2000
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−−
1.3 V
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安; t
j
= 150
°
C
−−−
1.3 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−−
1.9 V
f
T
转变 频率 I
C
=
−
500 毫安; v
CE
=
−
5 v; f = 100 MHz
−
200
−
MHz
切换 时间 (在 10% 和 90% 水平); 看
图.3
t
在
转变-在 时间 I
Con
=
−
500 毫安; i
Bon
=
−
0.5 毫安;
I
Boff
= 0.5 毫安
−
500
−
ns
t
止
转变-止 时间
−
700
−
ns
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