飞利浦 半导体 产品 规格
Triacs bt131 序列
逻辑 水平的
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-含铅的
热的 阻抗 全部 循环 - - 60 k/w
接合面 至 含铅的 half 循环 - - 80 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 pcb 挂载;含铅的 长度 = 4mm - 150 - k/w
接合面 至 包围的
静态的 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
GT
门 触发 电流 V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个
t2+ g+ - 0.4 3 毫安
t2+ g- - 1.3 3 毫安
t2- g- - 1.4 3 毫安
t2- g+ - 3.8 7 毫安
I
L
闭锁 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个
t2+ g+ - 1.2 5 毫安
t2+ g- - 4.0 8 毫安
t2- g- - 1.0 5 毫安
t2- g+ - 2.5 8 毫安
I
H
支持 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个 - 1.3 5 毫安
V
T
在-状态 电压 I
T
= 2.0 一个 - 1.2 1.5 V
V
GT
门 触发 电压 V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个 - 0.7 1.5 V
V
D
= 400 v; i
T
= 0.1 一个; t
j
= 125 ˚c 0.2 0.3 - V
I
D
止-状态 泄漏 电流 V
D
= v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c - 0.1 0.5 毫安
动态 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
dV
D
/dt 核心的 比率 的 上升 的 V
DM
= 67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c; 5 15 - v/
µ
s
止-状态 电压 exponential 波形; r
GK
= 1 k
Ω
t
gt
门 控制 转变-在 I
TM
= 1.5 一个; v
D
= v
drm(最大值)
; i
G
= 0.1 一个; - 2 -
µ
s
时间 dI
G
/dt = 5 一个/
µ
s
april 1998 2 rev 1.000
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