bt131_ser_8 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2005. 所有 权利 保留.
产品 数据 薄板 rev. 08 — 9 九月 2005 6 的 12
飞利浦 半导体
bt131 序列
triacs 逻辑 水平的
6. 特性
表格 5: 特性
T
j
= 25
°
c 除非 否则 陈述.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
I
GT
门 触发 电流 V
D
= 12 v; i
T
= 100 毫安; 看
图示 8
t2+ g+ - 0.4 3 毫安
t2+ g
−
- 1.3 3 毫安
T2
−
G
−
- 1.4 3 毫安
T2
−
G+ - 3.8 7 毫安
I
L
闭锁 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 100 毫安; 看
图示 10
t2+ g+ - 1.2 5 毫安
t2+ g
−
- 48mA
T2
−
G
−
- 15mA
T2
−
G+ - 2.5 8 毫安
I
H
支持 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 100 毫安; 看
图示 11
- 1.3 5 毫安
V
T
在-状态 电压 I
T
= 1.4 一个; 看 图示 9 - 1.2 1.5 V
V
GT
门 触发 电压 I
T
= 10 毫安; 门 打开 电路;
看
图示 7
V
D
= 12 v; i
GT
= 100 毫安 - 0.7 1.5 V
V
D
= 400 v; i
GT
= 100 毫安;
T
j
= 125
°
C
0.2 0.3 - V
I
D
止-状态 电流 V
D
=V
drm(最大值)
; t
j
= 125
°
C - 0.1 0.5 毫安
动态 特性
dV
D
/dt 比率 的 上升 的 止-状态
电压
V
DM
=67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125
°
c;
exponential 波形; r
GK
=1k
Ω
;
看
图示 12
10 20 - v/
µ
s
dV
com
/dt 比率 的 改变 的
commutating 电流
V
DM
= 400 v; t
j
= 125
°
c;
dI
com
/dt = 0.5 一个/ms
2--v/
µ
s
t
gt
门-控制
转变-在 时间
I
TM
= 1.5 一个; v
D
=V
drm(最大值)
;
I
G
= 100 毫安; di
G
/dt = 5 一个/
µ
s
-2-
µ
s