ds30061 rev. 4 - 2 1 的 2 MMBT5551
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MMBT5551
npn 小 信号 表面 挂载 晶体管
外延的 planar 消逝 构建
Complementary pnp 类型 有
(mmbt5401)
完美的 为 中等 电源 放大器 和
切换
典型的 标识 MMBT5551 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
180 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
160 V
发射级-根基 电压
V
EBO
6.0 V
集电级 电流 - 持续的 (便条 1)
I
C
200 毫安
电源 消耗 (便条 1)
P
d
300
mW
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 (便条 1)
R
JA
417
c/w
运行 和 存储 和 温度 范围
T
j
,t
STG
-55 至 +150
C
最大 比率
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
一个
C
B
E
J
L
顶 视图
M
B
C
H
G
D
K
E
机械的 数据
情况: sot-23, 模塑的 塑料
情况 材料 - ul flammability 比率
分类 94v-0
潮气 敏锐的: 水平的 1 每 j-标准-020a
terminals: solderable 每 mil-标准-202,
方法 208
终端 连接: 看 图解
标记 (看 页 2): k4n
订货 &放大; 日期 代号 信息: 看 页 2
重量: 0.008 grams (approx.)
sot-23
Dim 最小值 最大值
一个
0.37 0.51
B
1.20 1.40
C
2.30 2.50
D
0.89 1.03
E
0.45 0.60
G
1.78 2.05
H
2.80 3.00
J
0.013 0.10
K
0.903 1.10
L
0.45 0.61
M
0.085 0.180
0
8
所有 维度 在 mm
E
B
C
电的 特性
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
典型的 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况
止 特性 (便条 2)
集电级-根基 损坏 电压
V
(br)cbo
180
V
I
C
= 100
一个, i
E
= 0
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ceo
160
V
I
C
= 1.0ma, i
B
= 0
发射级-根基 损坏 电压
V
(br)ebo
6.0
V
I
E
= 10
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流
I
CBO
50
nA
一个
V
CB
= 120v, i
E
= 0
V
CB
= 120v, i
E
= 0, t
一个
= 100
C
发射级 截止 电流
I
EBO
50 nA
V
EB
= 4.0v, i
C
= 0
在 特性 (便条 2)
直流 电流 增益
h
FE
80
80
30
250
I
C
= 1.0ma, v
CE
= 5.0v
I
C
= 10ma, v
CE
= 5.0v
I
C
= 50ma, v
CE
= 5.0v
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
0.15
0.20
V
I
C
= 10ma, i
B
= 1.0ma
I
C
= 50ma, i
B
= 5.0ma
根基- 发射级 饱和 电压
V
是(sat)
1.0 V
I
C
= 10ma, i
B
= 1.0ma
I
C
= 50ma, i
B
= 5.0ma
小 信号 特性
输出 电容
C
obo
6.0 pF
V
CB
= 10v, f = 1.0mhz, i
E
= 0
小 信号 电流 增益
h
fe
50 250
V
CE
= 10v, i
C
= 1.0ma,
f = 1.0khz
电流 增益-带宽 产品
f
T
100 300 MHz
V
CE
= 10v, i
C
= 10ma,
f = 100mhz
噪音 图示
NF
8.0 dB
V
CE
= 5.0v, i
C
= 200
一个,
R
S
= 1.0k
f = 1.0khz
特性
注释: 1. 设备 挂载 在 fr-4 pcb, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; 垫子 布局 作 显示 在 二极管 公司 建议的 垫子 布局
文档 ap02001, 这个 能 是 建立 在 我们的 网站 在 http://www.二极管.com/数据手册/ap02001.pdf.
2. 短的 持续时间 测试 脉冲波 使用 至 降低 自-加热 效应.
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