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资料编号:181688
 
资料名称:MMBT5089LT1
 
文件大小: 211.68K
   
说明
 
介绍:
Low Noise Transistors(NPN Silicon)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
m18–2/4
MMBT5088LT1 PNP MMBT5089LT1
电的 特性
(t
一个
= 2
c 除非 否则 指出) (持续)
典型的 标识 最小值 M一个x 单位
在 特性
直流 电流 增益 h
FE
(i
C
=100
µ
模数转换器,v
CE
=5.0vdc) MMBT5088 300 900
MMBT5089 400 1200
(i
C
=1.0madc,v
CE
=5.0vdc) MMBT5088 350
MMBT5089 450
(i
C
= 10madc, v
CE
=5.0vdc) MMBT5088 300
MMBT5089 400
collector–emitter 饱和 电压 V
ce(sat)
Vdc
(i
C
=10madc,i
B
=1.0madc) 0.5
base–emitter 饱和 电压 V
是(sat)
Vdc
(i
C
=10madc,i
B
=1.0madc) 0.8
small–signal 特性
current–gain — 带宽 产品 f
T
MHz
(i
C
= 500
µ
模数转换器,v
CE
=5.0vdc,f=20mhz) 50
collector–base 电容 C
cb
pF
(v
CB
=5.0vdc,i
E
=0,f=1.0mhz 发射级 guarded) 4.0
emitter–base 电容 C
eb
pF
(v
EB
=0.5vdc,i
C
=0,f=1.0mhz 集电级 guarded) 10
小 信号 电流 增益 h
fe
(i
C
=1.0madc,v
CE
=5.0vdc,f=1.0khz) MMBT5088 350 1400
MMBT5089 450 1800
噪音 图示 n f dB
(i
C
=100
µ
模数转换器,v
CE
=5.0vdc, r
S
=10
κΩ
,f=1.0khz) MMBT5088 3.0
MMBT5089 2.0
完美的
晶体管
R
S
i
n
e
n
图示 1.晶体管 噪音 模型
~
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