半导体 组件 industries, llc, 2004
12月, 2004 − rev. 4
1
发行 顺序 号码:
mmbt5550lt1/d
mmbt5550lt1,
MMBT5551LT1
mmbt5551lt1 是 一个 preferred 设备
高 电压 晶体管
npn 硅
特性
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
比率 标识 5550 5551 单位
集电级−发射级 电压 V
CEO
140 160 Vdc
集电级−根基 电压 V
CBO
160 180 Vdc
发射级−根基 电压 V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 − 持续的 I
C
600 mAdc
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
FR−5 板 (便条 1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质 (便条 2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
1. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
设备
包装
Shipping
†
订货 信息
MMBT5550LT1
SOT−23
3000 录音带 &放大; 卷轴
MMBT5551LT1
SOT−23
sot−23 (to−236)
情况 318
样式 6
3000 录音带 &放大; 卷轴
标记
图解
xxx = mmbt550lt1 = m1f,
mmbt5551lt1, lt3, lt1g = g1
M = month 代号
集电级
3
1
根基
2
发射级
xxxM
MMBT5551LT3G
SOT−23
(pb−free)
10,000 录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
MMBT5551LT1G
SOT−23
(pb−free)
3000 录音带 &放大; 卷轴
MMBT5551LT3
SOT−23
10,000 录音带 &放大; 卷轴
MMBT5550LT1G
SOT−23
(pb−free)
3000 录音带 &放大; 卷轴
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