pn918 / mmbt918
电的 特性
ta = 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
止 特性
在 特性
小 信号 特性
f
T
Current 增益 -带宽 产品 I
C
= 4.0 毫安,V
CE
=10 v,
f = 100 mhz
600 MHz
C
obo
输出 电容 V
CB
=10 v, i
E
=0,f= 1.0MHz
V
CB
=0,I
E
=0,f= 1.0MHz
1.7
3.0
pF
pF
C
ibo
在putCapac itance V
是
=0.5v,I
C
=0,f= 1.0MHz 2.0 pF
NF 噪音 图示 I
C
= 1.0 毫安,V
CE
=6.0v,
R
G
=400
Ω
,f= 60 mhz
6.0 dB
函数的 测试
G
pe
Ampl如果ier 电源 gain V
CB
=12 v, i
C
=6.0毫安,
f= 200 mhz
15 dB
P
O
电源 输出 V
CB
=15 v, i
C
=8.0毫安,
f= 500 mhz
30 mW
η
集电级 效率 V
CB
=15 v, i
C
=8.0毫安,
f= 500 mhz
25 %
*
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%
V
ceo(
sus
)
Collector-EmitterS美国tain在gVoltage* I
C
= 3.0 毫安,I
B
=0 15 V
V
(br)cbo
Collector-Base breakd自己的 voltage I
C
=1.0
µ
一个, i
E
=0 30 V
V
(br)EBO
Emitter-base 损坏Voltage
I
E
=10
µ
一个, i
C
=0
3.0 V
I
CBO
Collector cutoffCurrent V
CB
=15 v, i
E
= 0
V
CB
=15 v, t
一个
=150
°
C
0.01
1.0
µ
一个
µ
一个
h
FE
直流 电流增益 I
C
= 3.0 毫安,V
CE
=1.0V 20
V
ce(
sat
)
集电级-Emitter饱和 电压 I
C
=10 毫安,I
B
=1.0毫安 0.4 V
V
是(
sat
)
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=10 毫安,I
B
=1.0毫安 1.0 V
npn rf 晶体管
(持续)
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