bta/btb12 和 t12 序列
5/7
图. 4:
在-状态 特性 (最大
值).
图. 5:
surge 顶峰 在-状态 电流 相比
号码 的 循环.
图. 6:
非-repetitive surge 顶峰 在-状态
电流 为 一个 sinusoidal 脉冲波 和 宽度
tp < 10ms, 和 相应的 值 的 i²t.
图. 7:
相关的 变化 的 门 触发 电流,
支持 电流 和 闭锁 电流 相比
接合面 温度 (典型 值).
图. 8-1:
相关的 变化 的 核心的 比率 的
decrease 的 主要的 电流 相比 (dv/dt)c (典型
值) (bw/cw/t1235).
图. 8-2:
相关的 变化 的 核心的 比率 的
decrease 的 主要的 电流 相比 (dv/dt)c (典型
值) (tw).
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
1
10
100
itm (一个)
Tj=25°C
tj 最大值
tj 最大值
vto = 0.85 V
rd = 35 m
Ω
vtm(v)
1 10 100 1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
itsm (一个)
非 repetitive
tj 最初的=25°c
Repetitive
Tc=90°C
一个 循环
t=20ms
号码 的 循环
0.01 0.10 1.00 10.00
10
100
1000
tp (ms)
itsm (一个), i²t (a²s)
tj 最初的=25°c
ITSM
I²t
di/dt 限制:
50a/µs
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
igt,ih,il[tj] / igt,ih,il [tj=25°c]
IGT
ih &放大; il
tj(°c)
0.1 1.0 10.0 100.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
(di/dt)c [(dv/dt)c] / 指定 (di/dt)c
bw/cw/t1235
C
B
SW
(dv/dt)c (v/µs)
0.1
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.0 10.0 100.0
(di/dt)c [(dv/dt)c] / 指定 (di/dt)c
TW
(dv/dt)c (v/µs)
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