BTA/btb08 和 T8 序列
2/10
电的 特性
(tj = 25
°
c, 除非 否则 指定)
■
SNUBBERLESS
和 逻辑 水平的 (3 quadrants)
■
标准 (4 quadrants)
静态的 特性
便条 1:
最小 IGT 是 guaranted 在 5% 的 IGT 最大值
便条 2:
为 两个都 polarities 的 A2 关联 至 A1
标识 测试 Conditions Quadrant T8 bta/btb08 单位
T810 T835 TW SW CW BW
I
GT
(1)
V
D
=12V R
L
=30
Ω
I - II - III 最大值 10 35 5 10 35 50
毫安
V
GT
I - II - III 最大值 1.3 V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
= 3.3 k
Ω
Tj = 125
°
C
I - II - III 最小值 0.2
V
I
H
(2)
I
T
= 100 毫安
最大值 15 35 10 15 35 50 毫安
I
L
I
G
= 1.2 I
GT
I - III 最大值 25 50 10 25 50 70 毫安
II 30 60 15 30 60 80
dv/dt (2) V
D
=67%V
DRM
门 打开
Tj = 125
°
C
最小值 40 400 20 40 400 1000 v/
µ
s
(di/dt)c (2) (dv/dt)c = 0.1 v/
µ
s Tj = 125
°
C 最小值 5.4 - 3.5 5.4 - - 一个/ms
(dv/dt)c = 10 v/
µ
s Tj = 125
°
C 2.8 - 1.5 2.8 - -
Without snubber Tj = 125
°
C - 4.5 - - 4.5 7
标识 测试 Conditions Quadrant bta/btb08
Unit
CB
I
GT
(1)
V
D
=12V R
L
=30
Ω
I - II - III
IV
最大值
25
50
50
100
毫安
V
GT
所有 最大值 1.3 V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
= 3.3 k
Ω
Tj = 125
°
C
所有 最小值
0.2 V
I
H
(2) I
T
= 500 毫安
最大值 25 50 毫安
I
L
I
G
= 1.2 I
GT
I - III - IV 最大值 40 50 毫安
II 80 100
dv/dt (2) V
D
=67%V
DRM
门 打开 Tj = 125
°
C
最小值 200 400 v/
µ
s
(dv/dt)c (2) (di/dt)c = 3.5 一个/ms Tj = 125
°
C 最小值 5 10 v/
µ
s
标识 测试 Conditions 值 单位
V
TM
(2) I
TM
=11A tp=380
µ
s
Tj = 25
°
C 最大值 1.55 V
V
至
(2)
门槛 电压 Tj = 125
°
C 最大值 0.85 V
R
d
(2)
动态 阻抗 Tj = 125
°
C 最大值 50 m
Ω
I
DRM
I
RRM
V
DRM
=V
RRM
Tj = 25
°
C
最大值
5
µ
一个
Tj = 125
°
C1mA
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