BTA/btb08 和 T8 序列
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图. 6:
非-repetitive surge 顶峰 在-状态
电流 为 一个 sinusoidal 脉冲波 和 宽度
tp < 10ms, 和 相应的 值 的 i t.
图. 7:
相关的 变化 的 门 触发 电流,
支持 电流 和 闭锁 电流 相比
接合面 温度 (典型 值).
图. 8-1:
相关的 变化 的 核心的 比率 的
decrease 的 主要的 电流 相比 (dv/dt)c (典型
值). Snubberless &放大; 逻辑 水平的 类型
图. 8-2:
相关的 变化 的 核心的 比率 的
decrease 的 主要的 电流 相比 (dv/dt)c (典型
值). 标准 类型
图. 9:
相关的 变化 的 核心的 比率 的
decrease 的 主要的 电流 相比 接合面
温度.
图. 10:
DPAK 和 D
2
PAK 热的 阻抗
接合面 至 包围的 相比 铜 表面 下面
tab (打印 电路 板 fr4, 铜 厚度:
35
µ
m).
0.01 0.10 1.00 10.00
10
100
1000
ITSM (一个),
i t
(一个 s)
Tj initial=25
°
C
ITSM
i t
di/dt 限制:
50a/
µ
s
tp (ms)
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
igt,ih,il[tj] / igt,ih,il [Tj=25
°
C]
IGT
IH &放大; IL
tj(
°
c)
0.1 1.0 10.0 100.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
(di/dt)c [(dv/dt)c] / 指定 (di/dt)c
t835/cw/bw
TW
t810/sw
(dv/dt)c (v/
µ
s)
0.1 1.0 10.0 100.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
(di/dt)c [(dv/dt)c] / 指定 (di/dt)c
C
B
(dv/dt)c (v/
µ
s)
0 25 50 75 100 125
0
1
2
3
4
5
6
(di/dt)c [Tj] / (di/dt)c [Tj specified]
tj(
°
c)
0 4 8 1216202428323640
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
rth(j-一个) (
°
c/w)
DPAK
d pak
s(cm )
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