SN74CBTLV16800
低-电压 20-位 场效应晶体管 总线 转变
和 precharged 输出
scds045f – 12月 1997 – 修订 将 1999
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邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
5-
Ω
转变 连接 在 二 端口
D
分开 下面 电源-止 情况
D
b-端口 输出 是 precharged 用 偏差
电压 至 降低 信号 扭曲量
在 live 嵌入
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883, 方法 3015; 超过 200 v
使用 机器 模型 (c = 200 pf, r = 0)
D
获得-向上 效能 超过 100 毫安 每
jesd 78, 类 ii
D
包装 选项 包含 塑料 薄的
shrink 小-外形 (dgg), 薄的 非常
小-外形 (dgv), 和 300-mil shrink
小-外形 (dl) 包装
便条: 为 录音带 和 卷轴 顺序 entry:
这 dggr 包装 是 abbreviated 至 gr, 和
这 dgvr 包装 是 abbreviated 至 vr.
描述
这 sn74cbtlv16800 提供 20 位 的
高-速 总线 切换. 这 低 在-状态
阻抗 的 这 转变 准许 连接 至 是
制造 和 minimal 传播 延迟. 这 设备
也 precharges 这 b 端口 至 一个 用户-可选择的
偏差 电压 (biasv) 至 降低 live-嵌入
噪音.
这 设备 是 有组织的 作 双 10-位 总线 switches 和 独立的 输出-使能 (oe
) 输入. 它 能 是 使用
作 二 10-位 总线 switches 或者 一个 20-位 总线 转变. 当 oe
是 低, 这 有关联的 10-位 总线 转变 是 在,
和 端口 一个 是 连接 至 端口 b. 当 oe
是 高, 这 转变 是 打开, 这 高-阻抗 状态 exists 在
这 二 端口, 和 端口 b 是 precharged 至 biasv 通过 这 相等的 的 一个 10-k
Ω
电阻.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这 sn74cbtlv16800 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
(各自 10-位 总线 转变)
输入
OE
函数
L 一个 端口 = b 端口
H
一个 端口 = z
b 端口 = biasv
版权
1999, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
dgg, dgv, 或者 dl 包装
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