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19.05.2000
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bts 141
块 diagramm
条款 inductive 和 超（电）压 输出 clamp
HITFET
在
D
V
在
I
D
V
DS
1
I
在
S
V
bb
R
L
2
3
HITFET
V
Z
D
S
短的 电路 behaviour
V
在
I
D
I
d(scp)
t 0 tm
t 2
I
d(lim)
t 1
输入 电路 (静电释放 保护)
在
静电释放-zd
I
源
静电释放 齐纳 二极管 是 不 设计
为 直流 电流 > 2 毫安 @
V
在
>10v.
t
0
:    转变 在 在 一个 短的 电路
t
m
:   measurementpoint 为
I
d(lim)
t
1
:     触发 的 这 快 温度 传感器 和
规章制度 的 这 流 电流 至 一个 水平的 在哪里
这 接合面 温度 仍然是 常量.
t
2
:     热的 关闭 造成 用 这 第二
温度 传感器, 达到 用 一个
integrating 度量.

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19.05.2000 页 5 bts 141 块 diagramm 条款 inductive 和超（电）压输出 clamp HITFET 在 D V 在 I D V DS 1 I 在 S V bb R L 2 3 HITFET V Z D S 短的电路 behaviour V 在 I D I d(scp) t 0 tm t 2 I d(lim) t 1 输入电路 (静电释放保护) 在静电释放-zd I 源静电释放齐纳二极管是不设计为直流电流 > 2 毫安 @ V 在 >10v. t 0 : 转变在在一个短的电路 t m : measurementpoint 为 I d(lim) t 1 : 触发的这快温度传感器和规章制度的这流电流至一个水平的在哪里这接合面温度仍然是常量. t 2 : 热的关闭造成用这第二温度传感器, 达到用一个 integrating 度量.

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