BTS133_集成电路资料查询网

19.05.2000
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bts 133
在-状态 阻抗
R
在
= f(t
j
);
I
D
=7a; v
在
=10V
-50 -25 0 25 50 75 100
°C
150
T
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
m
Ω
100
R
ds(在)
典型值
最大值
最大 容许的 电源 消耗
P
tot
= f(t
c
)
0 20 40 60 80 100 120
°C
160
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
W
100
bts 133
P
tot
在-状态 阻抗
R
在
= f(t
j
);
I
D
= 7a; v
在
=5V
-50 -25 0 25 50 75 100
°C
150
T
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
m
Ω
120
R
ds(在)
典型值
最大值
典型值 输入 门槛 电压
V
在(th)
= f(t
j
);
I
D
=1,4ma; v
DS
=12V
-50 -25 0 25 50 75 100
°C
150
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
2.0
V
在(th)

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19.05.2000 页 6 bts 133 在-状态阻抗 R 在 = f(t j ); I D =7a; v 在 =10V -50 -25 0 25 50 75 100 °C 150 T j 0 10 20 30 40 50 60 70 80 m Ω 100 R ds(在) 典型值最大值最大容许的电源消耗 P tot = f(t c ) 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 150 0 10 20 30 40 50 60 70 80 W 100 bts 133 P tot 在-状态阻抗 R 在 = f(t j ); I D = 7a; v 在 =5V -50 -25 0 25 50 75 100 °C 150 T j 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 m Ω 120 R ds(在) 典型值最大值典型值输入门槛电压 V 在(th) = f(t j ); I D =1,4ma; v DS =12V -50 -25 0 25 50 75 100 °C 150 T j 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 V 2.0 V 在(th)

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