BTS436L2
半导体 组 页 7 2003-oct-01
条款
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
ST
V
在
I
ST
I
在
V
bb
I
bb
I
L
V
输出
I
地
V
在
1
2
4
3
5
R
地
输入 电路 (静电释放 保护)
在
地
I
R
静电释放-zd
I
I
I
这 使用 的 静电释放 齐纳 二极管 作 电压 clamp 在 直流
情况 是 不 推荐
状态 输出
ST
地
静电释放-
ZD
+5V
R
st(在)
静电释放-齐纳 二极管: 6.1
v 典型值., 最大值 5.0 毫安; r
st(在)
< 375
Ω
在 1.6 毫安. 这 使用 的 静电释放 齐纳 二极管 作 电压 clamp 在
直流 情况 是 不 推荐.
inductive 和 超（电）压 输出 clamp
+ v
bb
输出
地
PROFET
V
Z
V
在
V
在
clamped 至 47 v 典型值
overvolt. 和 反转 batt. 保护
+ v
bb
在
ST
ST
R
地
地
R
信号 地
逻辑
PRO 场效应晶体管
V
Z2
I
R
V
Z1
加载 地
加载
R
输出
ST
R
+ 5v
V
Z1
= 6.1 v 典型值.,
V
Z2
= 47 v 典型值.,
R
地
= 150
Ω
,
R
ST
= 15 k
Ω
,
R
I
= 3.5 k
Ω
典型值
在 情况 的 反转 电池 这 加载 电流 有 至 是
限制 用 这 加载. 温度 保护 是 不
起作用的
打开-加载 发现
在 在-状态
打开 加载, 如果
V
在
< r
在
·
I
l(ol)
; 在 高
打开 加载
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
在
V
在
地 disconnect
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
V
在
V
ST
V
地
任何 kind 的 加载. 在 情况 的 输入=高 是
V
输出
≈
V
在
-
V
在(t+)
.
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
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