bts 728 l2
半导体 组 4 2003-oct-01
电的 特性
参数 一个nd 情况,
各自 的 这 二 途径
标识 值 单位
在 t
j
= -40...+150°c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗 (v
bb
至 输出);
I
L
= 2 一个, v
bb
≥
7V
各自 频道,
T
j
= 25°c:
T
j
= 150°c:
二 并行的 途径,
T
j
= 25°c:
看 图解, 页 10
R
在
--
50
100
25
60
120
30
m
Ω
名义上的 加载 电流
一个 频道 起作用的:
二 并行的 途径 起作用的:
设备 在 pcb
6
)
,
T
一个
=
85°c,
T
j
≤
150°C
I
l(nom)
3.6
5.5
4.0
6.0
-- 一个
输出 电流
当 地 disconnected 或者 牵引的
向上
7
)
;
V
bb
= 30 v,
V
在
= 0, 看 图解 页 8
I
l(gndhigh)
-- --2 毫安
转变-在 时间
8
)
在 至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 在 至 10%
V
输出
:
R
L
=
12
Ω
t
在
t
止
30
30
100
100
200
200
µ
s
回转 比率 在
8)
T
j
= -40°c:
10 至 30%
V
输出
,
R
L
=
12
Ω
T
j
= 25°c...150°c:
d
V
/dt
在
0.15
0.15
--
--
1
0.8
v/
µ
s
回转 比率 止
8)
T
j
= -40°c:
70 至 40%
V
输出
,
R
L
=
12
Ω
T
j
= 25°c...150°c:
-d
V
/dt
止
0.15
0.15
--
--
1
0.8
v/
µ
s
运行 参数
运行 电压 tj=-40
T
j
=25...150°c:
V
bb(在)
4.75 --
--
41
43
V
超（电）压 保护
9
)
T
j
=-40°c:
I
bb
=
40 毫安
T
j
=25...150°c:
V
bb(az)
41
43
--
47
--
52
V
备用物品 电流
10
)
T
j
=-40°c...25°c
:
V
在
=
0;
看 图解 页 10
T
j
=150°c:
I
bb(止)
--
--
10
--
18
50
µ
一个
泄漏 输出 电流 (包含 在
I
bb(止)
)
V
在
=
0
I
l(止)
-- 1 10
µ
一个
运行 电流
11)
,
V
在
=
5v,
I
地
=
I
GND1
+
I
GND2
,
一个 频道 在:
二 途径 在:
I
地
--
--
0.8
1.6
1.5
3.0
毫安
6
)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为 v
bb
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气. 看 页 14
7
)
不 主题 至 生产 测试, 指定 用 设计
8
)
看 定时 图解 在 页 11.
9)
供应 电压 高等级的 比 v
bb(az)
需要 一个 外部 电流 限制 为 这 地 和 状态 管脚 (一个 150
Ω
电阻 为 这 地 连接 是 推荐). 看 也
V
在(cl)
在 表格 的 保护 功能 和
电路 图解 在 页 8.
10
)
量过的 和 加载; 为 这 全部的 设备; 所有 途径 止
11
)
增加
I
ST
, 如果
I
ST
> 0
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