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数据 薄板 bts 443 p
infineon 科技 ag 页  6 的 13 2003-oct-01
真实 表格
输入
电流
水平的
输出
水平的
电流
Sense
I
是
正常的
运作
L
H
L
H
0
名义上的
超载
L
H
L
H
0
I
ISfault
短的 电路 至 地
L
H
L
L
0
I
ISfault
Overtemperature
L
H
L
L
0
I
ISfault
短的 电路 至 v
bb
L
H
H
H
0
<名义上的
11
打开 加载
L
H
Z
H
0
0
l = "低" 水平的  z = 高 阻抗, 潜在的 取决于 在 外部 电路
h = "高" 水平的 
11
)
 低 ohmic 短的 至
V
bb
将 减少 这 输出 电流
I
L
和 因此 也 这 sense 电流
I
是
.
条款
PRO场效应晶体管
V
在
是
OUT
bb
V
在
I
是
I
在
V
bb
I
bb
I
L
V
输出
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在
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3
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是
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是
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在
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二 或者 更多 设备 能 容易地 是 连接 在
并行的 至 增加 加载 电流 能力.

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数据薄板 bts 443 p infineon 科技 ag 页 6 的 13 2003-oct-01 真实表格输入电流水平的输出水平的电流 Sense I 是正常的运作 L H L H 0 名义上的超载 L H L H 0 I ISfault 短的电路至地 L H L L 0 I ISfault Overtemperature L H L L 0 I ISfault 短的电路至 v bb L H H H 0 <名义上的 11 打开加载 L H Z H 0 0 l = "低" 水平的 z = 高阻抗, 潜在的取决于在外部电路 h = "高" 水平的 11 ) 低 ohmic 短的至 V bb 将减少这输出电流 I L 和因此也这 sense 电流 I 是 . 条款 PRO场效应晶体管 V 在是 OUT bb V 在 I 是 I 在 V bb I bb I L V 输出 V 在 2 4 3 1,5 R 是 V 是 V bIN R 在 D S V bIS 二或者更多设备能容易地是连接在并行的至增加加载电流能力.

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