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资料编号:183502
 
资料名称:BTS6133D
 
文件大小: 257.12K
   
说明
 
介绍:
Smart Highside Power Switch
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 bts 6133 d
infineon 科技 ag 11 的 15 2003-oct-01
短的 电路 发现
V
> v
在(sc)
(3.5
v 典型值.) 和 t> t
d(sc)
(典型值.650 µs).
超载 发现
V
> 1
v 典型值
发现
电路
逻辑
单位
+ v
bb
输出
V
短的 电路
短的 电路 是 一个 结合体 的 primary 和
secondary 阻抗’s 和 一个 阻抗’s.
PROFET
V
输出
bb
R
SC
I
V
bb
Z
L
SC
L
SC
10mOhm
5uH
一个
llowable 结合体 的 最小, secondary
阻抗 为 全部 保护 在 给 secondary
事件
:
0
5
16V
10
0 100 200
R
SC
[mOhm]
15
L
SC
300
[uH]
v :
bb
18V
24V
30V
inductive 加载 转变-止 活力
消耗
PROFET
V
输出
bb
E
E
E
E
bb
L
R
E
加载
L
R
L
{
Z
L
R
I
V
bb
i (t)
L
活力 贮存 在 加载 电感:
E
L
=
1
/
2
·
L
·
I
2
L
当 demagnetising 加载 电感, 这 活力
dissipated 在 profet 是
E
= e
bb
+ e
L
- e
R
=
V
在(cl)
·
i
L
(t) dt,
L
>
0
:
E
=
I
L
·
L
2
·
R
L
(
V
bb
+
|V
输出(cl)
|)
ln
(1+
I
L
·
R
L
|V
输出(cl)
|
)
最大 容许的 加载 电感 为
一个 单独的 转变 止
l = f (i
L
);
T
j,开始
=
150°c, v
bb
=
12
L
=
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
110100
i_l [a]
l [mh]
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