bts 430 k2
参数 和 情况 标识 值 单位
在 t
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
半导体 组 5
输入 和 状态 反馈
6
)
输入 阻抗
看 电路 页 6
R
I
-- 10 -- k
Ω
输入 转变-在 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t+)
1.5 -- 2.4 V
输入 转变-止 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t-)
1.0 -- -- V
输入 门槛 hysteresis
∆
V
在(t)
-- 0.5 -- V
止 状态 输入 电流 (管脚 2)
V
在
= 0.4 v:
在 状态 输入 电流 (管脚 2)
V
在
= 3.5 v:
I
在(止)
I
在(在)
1
10
--
25
30
50
µ
一个
状态 有效的 之后 输入 斜度
T
j
=-40 ... +150°c:
(短的 电路)
t
d(st sc)
80 200 400
µ
s
状态 有效的 之后 输入 斜度
T
j
=-40 ... +150°c:
(打开 加载)
t
d(st)
350 -- 1600
µ
s
状态 输出 (打开 流)
齐纳 限制 电压
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
st 低 电压
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
V
st(高)
V
st(低)
5.4
--
6.1
--
6.9
0.4
V
状态 电压 当
V
bb
<2.4 v
T
j
=25 ... +150°c:
I
ST
= 500
µ
一个
T
j
=40°c:
V
ST
-- -- 1.0
1.2
V
6)
如果 一个 地面 电阻 r
地
是 使用, 增加 这 电压 漏出 横过 这个 电阻.
内部的 z-二极管 典型值 6.1 v, 看
最大 比率 页 2, 电路 页 7